GO2DEVICE – Nye komponenter for kraftelektronikk basert på galliumoksid med 2D elektrongassegenskaper

I GO2DEVICE-prosjektet skal vi studere en spesiell variant av Ga₂O₃, den såkallte kappa-fasen. Teoretiske beregninger tyder på at båndstrukturen (noe av det som er med på å definere en halvleders egenskaper) til kappa-fasen kan gjøre det mulig å oppnå såkalt 2D elektrongass (2DEG). 2DEG er grenseflater der elektroner kan bevege seg uten motstand. Ved å delvis bytte ut gallium med indium eller aluminium, er målet å kreddersy materialegenskapene slik at det blir mulig å lage spesielle transistorer kallt "high electron mobility transistors" (HEMT) basert på Ga₂O₃. Dette vil kreve god forståelse av de strukturelle og elektriske egenskapene. I GO2DEVICE-prosjektet vil vi bruke avansert materialkarakterisering og modellering for å utvikle nye materialer.

Prosjektet er et "Unge forskertalent"-prosjekt tildelt av Norges Forskningsråd. Det ledes av SINTEF, og inkluderer forskere fra Universitetet i Oslo, Universitet i Leipzig (Tyskland), Byuniversitetet i Hong Kong (Kina), ETH Zürich (Sveits) og ABBs Forskningssenter (Sveits).