Atomistic approach to simulate kink migration and kink-pair formation in silicon: The kinetic activation-relaxation technique
Les publikasjonen
Kategori
Vitenskapelig artikkel
Oppdragsgiver
- Research Council of Norway (RCN) / 255326
- Sigma2 / NN9158K
Språk
Engelsk
Forfatter(e)
- Simen Nut Hansen Eliassen
- Jesper Friis
- Inga Gudem Ringdalen
- Normand Mousseau
- Mickaël Trochet
- Yanjun Li
Institusjon(er)
- Norges teknisk-naturvitenskapelige universitet
- SINTEF Industri / Materialer og nanoteknologi
- Université de Montréal
- Centre national de la recherche scientifique
År
2019Publisert i
Physical review B (PRB)
ISSN
2469-9950
Årgang
100
Hefte nr.
15