Til hovedinnhold

Gamma ray radiation effects on h-BN encapsulated graphene field effect transistors

Gamma ray radiation effects on h-BN encapsulated graphene field effect transistors

Kategori
Konferansebidrag og faglig presentasjon
Språk
Engelsk
Forfatter(e)
Institusjon(er)
  • SINTEF Digital / Smart Sensor Systems
  • SINTEF Digital / Microsystems and Nanotechnology
  • Norges teknisk-naturvitenskapelige universitet
  • SINTEF Industri / Metallproduksjon og prosessering
  • Universitetet i Oslo
Presentert på
Recent Progress in Graphene and Two-dimensional Materials Research Conference (RPGR2018)
Dato
21.10.2018 - 24.10.2018
År
2018