Til hovedinnhold
Norsk English

H-initiated extended defects from plasma treatment: Comparison between c-Si and mc-Si

Kategori

Vitenskapelig foredrag

Språk

Engelsk

Forfatter(e)

  • Heidi Nordmark
  • Alexander Ulyashin
  • John Walmsley
  • Randi Holmestad

Institusjon(er)

  • Norges teknisk-naturvitenskapelige universitet
  • SINTEF AS

Presentert på

International Conference on Extended Defects in Semiconductors (EDS2010)

Sted

Brighton

Dato

19.09.2010 - 24.09.2010

År

2010

Vis denne publikasjonen hos Cristin