Til hovedinnhold

In-situ investigation of an artificial designed ∑27 grain boundary and dislocations during directional solidification of silicon

In-situ investigation of an artificial designed ∑27 grain boundary and dislocations during directional solidification of silicon

Kategori
Vitenskapelig foredrag
Språk
Engelsk
Forfatter(e)
Institusjon(er)
  • SINTEF Industri / Bærekraftig energiteknologi
  • Ukjent
Presentert på
Gadest 2019
Dato
22.09.2019 - 27.09.2019
År