Numerical analysis of dislocation density and residual stress in a GaN single crystal during the cooling process
Kategori
Vitenskapelig foredrag
Språk
Engelsk
Forfatter(e)
- Satoshi Nakano
- Bing Gao
- Koichi Kakimoto
Institusjon(er)
- Ukjent
- SINTEF Industri / Metallproduksjon og prosessering
Presentert på
the 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18)
Dato
07.08.2016 - 12.08.2016