Til hovedinnhold

Annett Thøgersen

Seniorforsker

Annett Thøgersen

Seniorforsker

Annett Thøgersen
Telefon: 975 02 560
Avdeling: Bærekraftig energiteknologi
Kontorsted: Oslo

Publikasjoner og ansvarsområder

Publikasjoner

Publikasjon
https://www.sintef.no/publikasjoner/publikasjon/?pubid=CRIStin+1503792

Sublimation-grown 3C-SiC crystals were implanted with B ions at elevated temperature (400 °C) using multiple energies (100 to 575 keV) with a total dose of 1.3×1017 atoms/cm2 in order to form intermediate band (IB) in 3C-SiC. The samples were then annealed at 1400 °C for 60 min. An anomalous area in...

Forfattere Ma Quanbao Carvalho Patricia Galeckas Augustinas Azarov Alexander Hovden Sigurd Slettemark Thøgersen Annett Wright Daniel Nilsen Diplas Spyridon Løvvik Ole Martin Jokubavicius Valdas Sun Jianwu Syväjärvi Mikael Svensson Bengt Gunnar
År 2017
Type Tidsskriftspublikasjon