Til hovedinnhold
Norsk English

Atomistic approach to simulate kink migration and kink-pair formation in silicon: The kinetic activation-relaxation technique

Les publikasjonen

Kategori

Vitenskapelig artikkel

Oppdragsgiver

  • Research Council of Norway (RCN) / 255326
  • Sigma2 / NN9158K

Språk

Engelsk

Forfatter(e)

Institusjon(er)

  • Norges teknisk-naturvitenskapelige universitet
  • SINTEF Industri / Materialer og nanoteknologi
  • Université de Montréal
  • Centre national de la recherche scientifique

År

2019

Publisert i

Physical review B (PRB)

ISSN

2469-9950

Årgang

100

Hefte nr.

15

Vis denne publikasjonen hos Cristin