Til hovedinnhold

Investigation of the energy pathway for generation of dislocations in silicon at Σ3 grain boundaries with the kinetic Activation-Relaxation Technique

Investigation of the energy pathway for generation of dislocations in silicon at Σ3 grain boundaries with the kinetic Activation-Relaxation Technique

Kategori
Konferansebidrag og faglig presentasjon
Språk
Engelsk
Forfatter(e)
Institusjon(er)
  • Norges teknisk-naturvitenskapelige universitet
  • Norges teknisk-naturvitenskapelige universitet
  • SINTEF Industri / Materialer og nanoteknologi
Presentert på
Multiscale Materials Modelling
Sted
Osaka
Dato
27.10.2018 - 01.11.2018
År
2018