Til hovedinnhold
Norsk English

Gamma ray radiation effects on h-BN encapsulated graphene field effect transistors

Kategori

Poster

Språk

Engelsk

Forfatter(e)

Institusjon(er)

  • SINTEF Digital / Smart Sensors and Microsystems
  • Ukjent
  • Norges teknisk-naturvitenskapelige universitet
  • SINTEF Industri / Metallproduksjon og prosessering
  • Universitetet i Oslo

Presentert på

Recent Progress in Graphene and Two-dimensional Materials Research Conference (RPGR2018)

Dato

22.10.2018 - 25.10.2018

År

2018

Vis denne publikasjonen hos Cristin