Til hovedinnhold

Kraftelektronikk for store havdyp

Kraftelektronikk for store havdyp

Publisert 1. desember 2014

Målsettingen i " Feasible power electronics for demanding subsea applications" er å ta frem teknologi for å realisere trykktolerante løsninger for kraftelektroniske omformere for pålitelig drift ved 300 bar omgivelsestrykk (3000 m havdyp). Hovedfokuset er på å oppnå trykktoleranse for de komponentene som antas å være mest sårbare for trykkeksponering. For de kraftelektroniske kretsene er dette krafthalvlederne (eksempelvis IGBT), kondensatorer, driverkretser for IGBT (elektronikk) og sensorer (strøm, spenning, temperatur osv)

Trykktolerant kraftelektronikk Foto: SINTEF

Hovedutfordringene ved realisering av trykktolerant kraftelektronikk er i første rekke knyttet til hvorvidt man lykkes med å realisere trykktolerante enkeltkomponenter. Hovedpoenget er at hele omformerstrukturen, inklusiv hulrom i alle enkeltkomponenter må fylles 100 prosent med en egnet isolasjonsvæske. Dette betyr at enkeltkomponenter, så som krafthalvlederne må modifiseres kraftig, ved for eksempel at standardkapslingen fjernes helt, eller punkteres og fylles med væske ved hjelp av vakuumering. Alle løsninger må verifiseres gjennom omfattende tester for å sikre at driftspåliteligheten opprettholdes.

Prosjektvarighet

01.01.2006 - 31.12.2012

Seniorforsker