Til hovedinnhold

Solcellesilisium - karakteriseringslaboratorier

Solcellesilisium - karakteriseringslaboratorier

Publisert 18. april 2016

Vi har ekspertise innenfor metallografisk og elektrisk karakterisering av Si for solcelleformål. Vi undersøker hvordan kornstruktur, defekter og forurensninger påvirker de elektriske egenskapene til solcellesilisium, både i mono- og multikrystallinsk silisium.

Prøvepreparering. Mekanisk bearbeiding og etsing i automatisert etseutstyr. Foto: SINTEF/Melinda Gaal

Ekspertise

Karakterisering foregår på forskjellige skalaer: ved hjelp av avanserte scanning- og avbildningsteknikker kan vi visualisere egenskapene til materiale på industrielle wafere med oppløsning på mikrometerskala.

Metodene vi bruker er basert på standard og egenutviklet utstyr for karakterisering av solcellesilisium:

  • Minoritetsbærer levetid (QSSPC, µW-PCD, CDI)
  • Resistivitet (4-punkt probe, eddy-current)
  • Kornorientering (EBSD, Laue røntgen)
  • Dislokasjonstetthet (PV-scan, SEM, lysmikroskop, SIWA –scan)
  • Krystallisering (LPS)

Varmebehandling kombinert med etsing benyttes for visualisering av vakanser og oksygen relaterte defekter i monokrystallinsk silisium.

 

a) Dislokasjonsetsegroper b)LPS c)EBSD

a) Dislokasjonsetsegroper.  Hver prikk representerer én dislokasjon som krysser overflaten. Områder med mye dislokasjoner har dårlig virkningsgrad i en solcelle.
b) LPS. Lateral fotospenningscanning. Denne teknikken måler små variasjoner i doping som er et merke etter hvor grenseflaten mellom fast og flytende gikk og hvordan den varierte over tid.
c) EBSD. Electron Backscatter Diffraction måler krystallorientering og visualiserer denne med farger (til venstre) og polfigurer (til høyre).

Kontakt

Besøksadresse:
Alfred Getz vei 2b, Trondheim

Kontaktperson:
Gaute Stokkan, Mobil: 415 59 851, Epost: Gaute.Stokkan@sintef.no