Vårt hovedforskningsområde er krystallisasjon av solcellesilisium. Vi jobber med å forbedre kvaliteten på silisiumet relatert til defekter som dislokasjoner, korngrenser og forurensinger. I tillegg har vi høy kompetanse på ovnsteknologi og størkningskontroll som både kan øke kvaliteten på materialet samtidig som produksjonskostnadene kan senkes.

Krystallisasjonslaboratoriene våre består av fasiliteter for støping av både mono- og multikrystallinsk silisium:

• To Bidgman-ovner for rettet størkning av silisium hvor den minste er plassert i et klasse 10000 rentrom.
• Czochralski ovn for trekking av enkrystaller

På multikrystallinsk silisium kan vi tilby: - Rettet størkning av MC-Si ingoter med størrelse fra 12 kg, D250mm × H120, til 250 kg, 690mm × 690mm × 300mm. - Testing av nye typer feedstock material - Kontrollert tilsats av legeringselementer - Testing av nye digler og coating - Ekstra rensing av coating - Gassmålinger i ovn - Stor frihet mhp. kontroll av varmestrøm
På enkrystall silisium kan vi tilby: - Trekking av opp til 4’’ diameter krystall med maksimum vekt på 15 kg - Testing av digler og feedstock - FoU på semi-kontinuerlig støping av enkrystaller - Tilføing av  legerings- og dopelementer - Varmesoneutvikling - Oksygenkontroll
	Foto: Melinda Gaal

Publikasjonsliste