Silisiumkarbid (SiC)
Silisiumkarbid er et svært hardt materiale med hardhet mellom 9 og 10 på Mohs skala (diamant er 10). Det har tradisjonelt vært benyttet som slipemiddel eller i keramiske produkter. SiC har de senere år nådd sin renessanse grunnet anvendelser innen kutting av silisium ”wafere” til bruk i solcellepanel og i støvfiltre for dieselbiler.

Silisiumkarbid fremstilles ved svært høye temperaturer fra kvartssand og petrolkoks ved karbotermisk reduksjon i Achesonprosessen. Norske produsenter er Saint-Gobain Ceramic Materials og Washington Mills.  Bildet viser krystallinsk SiC direkte fra produksjonsprosessen før videreforedling til pulver.  Det stilles høye krav til produktkvalitet, som partikkelstørrelse og form.  SINTEF har utviklet og patentert en luft- klasserer som har stor betydning for produksjon av silisiumkarbidpulver som er egnet til nevnte anvendelsesområder.

SINTEF har kompetanse og kan tilby prosjekt i samarbeid med industripartnere innen:
• Prosessutvikling og optimalisering
• Produktutvikling
• Pilotskalaproduksjon av nye eller modifiserte prosesser og produkter
• Modellering og simulering av industriell produksjon/møllekretser.
• Partikkelkarakterisering (partikkelstørrelse og form, overflate, tetthet og porøsitet).

Silisiumkarbid (SiC crude) direkte fra produksjonsprosessen.  Denne videreforedles til pulver med ulike kornstørrelser ved knusing, maling, sikting og vindsikting.

Foto: Melinda Gaal


Forskningseksempler for silisiumkarbid:

• Utvikling av en ny miljøvennlig prosess for produksjon av silisiumkarbid.
• Optimering av pulverproduksjon i jetmølle med en online partikkelstørrelsesanalysator.
• Effekt av nedknusing/maling på partikkelform.
• Produksjon av silisiumkarbidpulver under 1 µm.
• Våtsliping av silisiumkarbid (SiC) og maling i luftstråle kulemølle.
• Resirkulering av SiC og silisium fra slurry brukt til kutting av solcelle ”wafere”

Kontaktperson: Bodil Elisabeth Monsen Kontaktperson:

Publisert 30. januar 2009